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日本牵头:发出一种异质互补场效应晶体管 2nm hCFET晶体管浮出水面
2020年12月,由日本工业技术研究院(AIST)和中国台湾半导体研究中心(TSRI)代表的联合研究小组宣布了用于2nm世代的Si(硅) Ge(硅) Ge层压
2020-12-21 15:46:43
2020年12月,由日本工业技术研究院(AIST)和中国台湾半导体研究中心(TSRI)代表的联合研究小组宣布了用于2nm世代的Si(硅) Ge(硅) Ge层压